| Général |
| Type de périphérique | Lecteur à semi-conducteurs - interne |
| Capacité | 1 To |
| Cryptage matériel | Oui |
| Algorithme de chiffrement | AES 256 bits |
| Type de mémoire flash NAND | Cellule multiniveaux (MLC) |
| Dissipateur thermique intégré | Oui |
| Format | M.2 2280 |
| Interface | PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Caractéristiques | Mode veille, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, 1 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, S.M.A.R.T., NVMe 2.0 |
| Largeur | 24.3 mm |
| Profondeur | 80 mm |
| Hauteur | 8.2 mm |
| Poids | 28 g |
| Performances |
| Débit de transfert interne | 7450 Mo/s (lecture) / 6900 Mo/s (écriture) |
| Écriture aléatoire 4 Ko maximum | 1550000 IOPS |
| Lecture aléatoire maximale 4 ko | 1200000 IOPS |
| Fiabilité |
| Fiabilité MTBF | 1,500,000 heures |
| Expansion et connectivité |
| Interfaces | PCI Express 4.0 x4 (NVMe) |
| Baie compatible | M.2 2280 |
| Alimentation |
| Consommation électrique | 5.4 Watt (lecture)
5 Watt (écriture)
50 mW (inactif)
5 mW (mode L1.2) |
| Logiciels & Configuration requise |
| Logiciel(s) inclus | Samsung Magician Software |
| Divers |
| Normes de conformité | IEEE 1667 |
| Détails du paquet | Boîte |
| Garantie du fabricant |
| Service et maintenance | Garantie limitée - 5 ans/600 TBW |
| Caractéristiques d’environnement |
| Température minimale de fonctionnement | 0 °C |
| Température maximale de fonctionnement | 70 °C |
| Température de stockage mini | -40 °C |
| Température de stockage maxi | 85 °C |
| Taux d'humidité en fonctionnement | 5 - 95 % (sans condensation) |
| Résistance aux chocs (au repos) | 1500 g |
| Tolérance aux vibrations (au repos) | 20 g @ 20-2000 Hz |